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仪表阀门通常要求气体分子的平均自由程大于蒸发源到基片距离

发布时间:2016.05.13     浏览次数:
仪表阀门平均自由在厂时为了使蒸发材料的原子在运动到基片的途中与真空罩内的残余气体分子的碰撞率小于通常要求气体分子的平均自由程大于蒸发源到基片距离,对于一般的蒸发镀膜设备,蒸发源到基片的距离小于因此真空罩内的气压要求达,视对薄膜质量要求而定,需要指出的是,以上真空罩的气压指的是蒸发镀膜前空罩的起始气压,又称背底真空,仪表管件尽管蒸发镀膜时时由于处在蒸发源的材料因蒸发会造成真罩内气压一定程度的升高,但其不会在本质上影响编上述的结论。
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